為緊跟國(guó)際功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展步伐，推動(dòng)我國(guó)新型半導(dǎo)體功率器件技術(shù)水平進(jìn)一步提高，加快其成果轉(zhuǎn)化和應(yīng)用推廣，增強(qiáng)自主創(chuàng)新能力。由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件分會(huì)主辦的“第九屆全國(guó)新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)”于2023年11月23～25日在廣州召開(kāi)。雅馬拓科學(xué)受邀參會(huì)，并向大會(huì)做“功率半導(dǎo)體用陶瓷基板熱阻測(cè)試 “的主題報(bào)告。
報(bào)告摘要：
隨著新一代功率半導(dǎo)體（SiC、GaN）技術(shù)的加速開(kāi)發(fā)，功率半導(dǎo)體向小型化、高效化方向發(fā)展，因其擁有更節(jié)能、更高功率輸出和更高速運(yùn)行的前景而受到越來(lái)越多的期望。下一代功率半導(dǎo)體芯片將提供更高的輸出和更高的能量密度，預(yù)計(jì)在不久的將來(lái)，芯片結(jié)溫將從150℃ 提高到250℃，因此功率半導(dǎo)體的散熱技術(shù)變得比以往任何時(shí)候都更加重要。
雅馬拓科學(xué)自2016年11月開(kāi)始聯(lián)合大阪大學(xué)封裝研究所開(kāi)展「新一代功率半導(dǎo)體基板的熱特性評(píng)價(jià)方法」的共同研究，同時(shí)推動(dòng)了該評(píng)價(jià)方法的ISO國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化工作。2023年1月，ISO4825-1標(biāo)準(zhǔn)1正式全球發(fā)布。
“基板”是影響功率半導(dǎo)體散熱的核心部件，雅馬拓科學(xué)基于上述共同研究的成果，開(kāi)發(fā)了專門(mén)針對(duì)陶瓷基板的「熱阻測(cè)試儀」 以及「TEG芯片」，并同步在日本、中國(guó)、美國(guó)、歐洲申請(qǐng)了國(guó)際專利（專利申請(qǐng)中）。
會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)：
以上配圖來(lái)自“第九屆全國(guó)新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)”，僅作宣傳用途。
[1] ISO 4825-1:2023 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：https://www.iso.org/standard/80379.html
